利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法

摘要

本发明公开了一种利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法。应用于氮化镓基HEMT或HFET材料与器件的制作领域。它是采用金属有机化学气相沉积外延生长系统在SiC或Si单晶衬底上生长氮化镓基高电子迁移率晶体管或异质结场效应晶体管材料的步骤，在SiC或Si单晶衬底上生长完AlN或AlGaN形核层以及GaN缓冲层后，再生长GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN盖帽层时，在生长气氛中加入三甲基铟，进行具有铟掺杂的外延生长。利用本发明方法制作的材料或器件中位错大大减少，改善了界面平整度，提高了材料的电子迁移率，同时增大了生长窗口，使材料生长更容易，进而改善器件的电流崩塌、降低漏电流、提高跨导和增益、增加微波功率器件输出功率。

主权项

1、利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法，包括采用金属有机化学气相沉积外延生长系统在SiC或Si单晶衬底上生长氮化镓基高电子迁移率晶体管或异质结场效应晶体管材料的步骤，其特征在于：在SiC或Si单晶衬底上生长完AlN或AlGaN形核层以及GaN缓冲层后，再生长GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN盖帽层时，在生长气氛中加入三甲基铟，进行具有铟掺杂的外延生长。