发明名称 |
基于离子束技术的电阻应变计制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种基于离子束技术的电阻应变计制作方法,采用直流等离子体溅射技术和等离子刻蚀技术,在高温硅橡胶基片表面涂敷聚酰亚胺酸胶液,热固化形成聚酰亚胺柔性基底,然后剥离后固化得到所需应变特性要求的柔性基底膜,在柔性基底聚酰亚胺表面溅镀电阻合金膜,最后再通过光刻和刻蚀工艺制备成电阻应变计,具有工艺简单、成品率高、电阻合金膜成分可控、合金组分可按需求调配、图形分辨率高、所制材料性能优良等优点。 |
申请公布号 |
CN101614522A |
申请公布日期 |
2009.12.30 |
申请号 |
CN200910023478.5 |
申请日期 |
2009.07.31 |
申请人 |
中国航天科技集团公司第四研究院第四十四研究所 |
发明人 |
黎明诚;戚龙;盖广洪 |
分类号 |
G01B7/16(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01B7/16(2006.01)I |
代理机构 |
西安文盛专利代理有限公司 |
代理人 |
李中群 |
主权项 |
1、一种基于离子束技术的电阻应变计制作方法,其特征在于包括下述的工艺步骤:1.1制备柔性基底——采用高温硅橡胶皮为基片,在硅橡胶基片表面通过涂敷和热固化方式制成一层聚酰亚胺柔性基底,使聚酰亚胺基底同硅橡胶基片分离后,将聚酰亚胺基底置于真空烘箱里边进行热固化,形成所需要的聚酰亚胺柔性基底材质;1.2制作电阻合金膜——在柔性基底聚酰亚胺表面溅射100~3000nm的镍铬电阻合金薄膜;1.3光刻制备电路图形——在镍铬电阻合金薄膜上涂敷光刻胶,使光刻胶热固化,然后利用光刻机光刻,制备出所需的线宽的电阻应变计电路图形;1.4刻蚀图形——采用等离子体刻蚀技术除去多余的电阻合金膜,去除光刻胶,得到电阻应变计。 |
地址 |
710025陕西省西安市灞桥区洪庆镇田王街特字1号 |