发明名称 具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池
摘要 具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池,属于新能源材料与器件领域。采用Te作为缓冲层沉积在HNO<sub>3</sub>-H<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>-H<sub>2</sub>O(NP)腐蚀后的碲化镉薄膜表面和背接触层之间的一种碲化镉太阳电池。添加的缓冲层Te,一方面,可以与腐蚀出来的富Te层形成良好的晶格匹配,同时降低了与CdTe之间的势垒高度。另一方面,可形成组分和结构单一且性质稳定的Cu<sub>x</sub>Te,或者阻挡杂质离子的扩散,尤其避免了其在腐蚀后的晶界上迅速扩散。因此,可增加转换效率和旁路电阻,提高器件的性能,有利于CdTe薄膜太阳电池的规模化生产。
申请公布号 CN101615638A 申请公布日期 2009.12.30
申请号 CN200810046209.6 申请日期 2008.10.06
申请人 四川大学 发明人 李卫;冯良桓;张静全;黎兵;武莉莉;雷智;蔡亚平;狄霞
分类号 H01L31/042(2006.01)I 主分类号 H01L31/042(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1.具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池,结构为:玻璃/TCO/CdS/CdTe/Te/背接触层/金属电极,其特征是:对玻璃/TCO/CdS/CdTe进行NP腐蚀后,沉积缓冲层碲,随后顺序沉积背接触和金属电极。
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