| 发明名称 | 图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体的图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：光电二极管；形成于光电二极管上方的层间介电层；形成于层间介电层中的包括离子注入层的波导；形成于层间介电层上方的滤色器；以及形成于滤色器上方的微透镜。 | ||
| 申请公布号 | CN101615596A | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200910150300.7 | 申请日期 | 2009.06.26 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 朴珍暤 |
| 分类号 | H01L21/8222(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8222(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1.一种制造图像传感器的方法，包括：在半导体衬底上方形成光电二极管；在包括所述光电二极管的所述半导体衬底上方形成层间介电层；通过实施离子注入工艺在所述层间介电层中形成波导；在包括所述波导的所述层间介电层上方形成滤色器；在所述滤色器上方形成平坦化层；以及然后在所述平坦化层上方形成微透镜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||