| 发明名称 | 氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法，属于电子材料技术领域，由膜料涂敷后经过低温烧结获得，其中膜料重量百分组成为：有机铟化合物4.17～18.5％、有机锡化合物0.83～1.5％，溶剂5～20％和余量的粘合剂。设备投资小，生产工艺简单，制造成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN101615450A | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200910015238.0 | 申请日期 | 2009.05.15 |
| 申请人 | 山东硅苑新材料科技股份有限公司 | 发明人 | 刘海笑;王钦宁;吴巍;李树红;马英姿;董艳;张仲江 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于由膜料涂敷后经过低温烧结获得，其中膜料重量百分组成为：有机铟化合物4.17～18.5％、有机锡化合物0.83～1.5％，溶剂5～20％和余量的粘合剂。 | ||
| 地址 | 255086山东省淄博市开发区柳泉路264号 | ||