| 发明名称 | 用于制造具有硅化栅电极的半导体器件的方法以及用于制造包含该半导体器件的集成电路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法和一种用于制造包含该半导体器件的集成电路的方法。除了其它可能的步骤，所述用于制造半导体器件(100)的方法包括：在衬底(110)上形成多晶硅栅电极，并且紧接于该多晶硅栅电极在衬底(110)中形成源极/漏极区域(170)。该方法进一步包括在所述源极/漏极区域(170)上形成阻挡层(180)和硅化该多晶硅栅电极以形成硅化栅电极(150)，该阻挡层(180)包括金属硅化物。 | ||
| 申请公布号 | CN100576473C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200580017132.4 | 申请日期 | 2005.03.28 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | J-P·鲁;H·布;S·余;P·江 |
| 分类号 | H01L21/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民;薛 峰 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，其包括：在衬底之上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极电介质、位于所述栅极电介质上的多晶硅栅电极以及位于所述多晶硅栅电极上的保护层；紧接于所述栅极结构在所述衬底中形成源极/漏极区域；与所述源极/漏极区域接触形成第一硅化物金属，所述保护层将所述多晶硅栅电极从所述第一硅化物金属中分离；从所述第一硅化物金属在所述源极/漏极区域之上形成阻挡层，所述阻挡层包含金属硅化物；在形成所述阻挡层之后将所述保护层从所述多晶硅栅电极上移除；与所述多晶硅栅电极接触并与所述阻挡层接触形成第二硅化物金属；以及使用所述第二硅化物金属对所述多晶硅栅电极进行硅化以形成硅化栅电极，所述阻挡层保护所述源极/漏极区域免受所述硅化过程的影响。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||