发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
提供在相邻像素之间的绝缘膜被称为堤坝、隔板、势垒、堤防等,并被提供在薄膜晶体管的源布线或漏布线或电源线上方。确切地说,在提供于不同层中的这些布线的交叉部分处,形成了比其它部分更大的台阶。即使在用涂敷方法形成相邻像素之间的绝缘膜的情况下,也由于这种台阶而存在着局部形成薄的部分从而降低承受压力的问题。在本发明中,模拟材料被安置在大台阶部分附近,确切地说是各布线的交叉部分周围,以便减小其上形成的不平坦性。上部布线和下部布线以不对准的方式被安置,以便不对准端部。 |
申请公布号 |
CN100576527C |
申请公布日期 |
2009.12.30 |
申请号 |
CN200610082690.5 |
申请日期 |
2006.05.12 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
坂仓真之;山崎舜平 |
分类号 |
H01L23/522(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;王忠忠 |
主权项 |
1.一种半导体器件,它包含:绝缘表面上的第一布线、第二布线和导电层;覆盖所述第一布线、所述第二布线和所述导电层的第一绝缘层;所述第一绝缘层上的电极;覆盖所述电极、所述第一绝缘层、所述第一布线、所述第二布线和所述导电层的第二绝缘层;以及所述电极、所述第一绝缘层、所述第一布线、所述第二布线、所述导电层和所述第二绝缘层上的第三绝缘层,其中,所述第一布线、所述第二布线和所述导电层包含相同的材料,其中,所述电极被配置在所述导电层与所述第一布线之间,其中,所述电极穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层与所述第二布线接触,且其中,所述导电层处于电浮置状态。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |