发明名称 Carrier substrate for semiconductor multilayer strcuture and method of manufacturing semiconductor chips
摘要 <p>Gegenstand der Erfindung ist eine Trägerschicht (1) für eine Halbleiterschichtenfolge, die eine elektrische Isolationsschicht (2) umfasst, die eine Keramik oder AlN enthält. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips angegeben. </p>
申请公布号 EP1536466(A3) 申请公布日期 2009.12.30
申请号 EP20040026487 申请日期 2004.11.08
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 GROETSCH, STEFAN;ILLEK, STEFAN;PLOESSL, ANDREAS;HAHN, BERTHOLD
分类号 H01L23/13;H01L23/373;H01L23/15;H01L23/367;H01L33/00;H01L33/62;H01L33/64;H01S5/02;H01S5/183 主分类号 H01L23/13
代理机构 代理人
主权项
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