发明名称 具有多个外部电源的非易失性半导体存储器
摘要 一种存储器装置包括用于保存数据的核心存储器,例如闪速存储器。该存储器装置包括第一功率输入端以接收用于给该闪速存储器提供功率的第一电压。另外,该存储器装置包括第二功率输入端以接收第二电压。该存储器装置包括功率管理电路,其被配置成接收该第二电压和获得一个或多个内部电压。该功率管理电路提供或传送该内部电压到该闪速存储器。由该功率管理电路(例如电压转换器电路)产生的并且提供到该核心存储器的不同内部电压使能关于该核心存储器中的单元的操作,例如读取/编程/擦除。
申请公布号 CN101617371A 申请公布日期 2009.12.30
申请号 CN200880005233.3 申请日期 2008.02.12
申请人 莫塞德技术公司 发明人 金镇祺;P·吉利厄姆
分类号 G11C16/02(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;G11C16/30(2006.01)I;G11C5/14(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I 主分类号 G11C16/02(2006.01)I
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人 王 勇;姜 华
主权项 1.一种存储器装置,包括:用于保存数据的闪速存储器;用于接收被用于给该闪速存储器提供功率的第一电压的第一功率输入端;用于接收第二电压的第二功率输入端;和功率管理电路,其用于接收该第二电压并且获得被传送给该闪速存储器的至少一个内部电压。
地址 加拿大安大略省