发明名称 |
DNA纳米光纤的制备、硅烷化和表征 |
摘要 |
本发明公开了一种DNA纳米光纤的制备、硅烷化及表征硅烷化处理的纳米光纤表面微结构成分的方法,能直接地表观光纤头部的共价接枝,其特点是将微米级的光纤在蚀刻液中蚀刻5小时,获得纳米光纤,然后将纳米光纤放入10重量份的硅烷溶液,在60~90℃,pH=2~4.5条件下反应1~5小时后,取出光纤,用蒸馏水洗涤,真空90~100℃,10~12小时烘干;用此方法检测纳米光纤表面的微结构成分,结果表明,该方法可用于检测经硅烷化后光纤表面微结构成分,能直观地表征生物活性分子与经硅烷化的光纤的耦合。 |
申请公布号 |
CN101614649A |
申请公布日期 |
2009.12.30 |
申请号 |
CN200810044408.3 |
申请日期 |
2008.05.16 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
庞小峰;王一明 |
分类号 |
G01N21/00(2006.01)I;C12Q1/68(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.纳米光纤的表面修饰,选用适宜的光纤,将其浸入其一定配比的蚀刻液中,蚀刻一段时间后,显微镜观察光纤腐蚀,去掉保护层,即可得到纳米光纤。将其放在硅烷溶液中,其中各组分重量百分比组成计为:水溶性硅烷剂 10~30份水 30~120份 |
地址 |
610054四川省成都市建设北路二段四号 |