发明名称 存储装置以及其制造方法
摘要 本发明的目的是在安装在以RFID为典型的半导体装置中的存储元件中,提供减少制造步骤以实现低成本化的存储元件和具有该存储元件的存储电路。本发明是具有有机化合物的存储元件,该有机化合物夹在电极之间,其中,将与控制该存储元件的半导体元件连接的电极用作该存储元件的电极。此外,由于将形成在绝缘表面上的极薄的半导体膜用作该存储元件,从而,可以实现低成本化。
申请公布号 CN101615615A 申请公布日期 2009.12.30
申请号 CN200910165583.2 申请日期 2006.01.26
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 浅见良信
分类号 H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I 主分类号 H01L27/105(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 李 进;韦欣华
主权项 1.一种存储装置,包括:绝缘表面上的栅电极;栅电极上的栅绝缘膜;栅绝缘膜上的半导体膜,其中所述半导体膜包括杂质区;所述半导体膜上的导电膜,有杂质区介于其间,其中所述导电膜具有源极或漏极功能;所述导电膜上的层间绝缘膜;其中所述层间绝缘膜在导电膜上被提供有开口部分;层间绝缘膜上的底部电极,其中所述底部电极在开口部分与漏极电连接;形成在底部电极和层间绝缘膜上的绝缘物;和形成在所述绝缘物上的上部电极。
地址 日本神奈川县厚木市