| 发明名称 | 切割/芯片接合薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供切割工序时的胶粘性及拾取工序时的剥离性均控制良好的切割/芯片接合薄膜及其制造方法。本发明的切割/芯片接合薄膜，在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有芯片接合层，其特征在于，所述芯片接合层中粘合剂层侧的算术平均粗糙度X(μm)为0.015μm～1μm，所述粘合剂层中芯片接合层侧的算术平均粗糙度Y(μm)为0.03μm～1μm，并且所述X与Y之差的绝对值为0.015以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101617390A | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200880005676.2 | 申请日期 | 2008.01.28 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 天野康弘;三隅贞仁;松村健 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J11/04(2006.01)I;C09J133/00(2006.01)I;C09J161/00(2006.01)I;C09J163/00(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种切割/芯片接合薄膜，在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有芯片接合层，其特征在于，所述芯片接合层中粘合剂层侧的算术平均粗糙度X(μm)为0.015μm～1μm，所述粘合剂层中芯片接合层侧的算术平均粗糙度Y(μm)为0.03μm～1μm，所述X与Y之差的绝对值为0.015以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||