高效封装结构的半导体激光器

摘要

本实用新型涉及一种高效封装结构的半导体激光器，它包括一个上部烧结镀设有导电铟层且带有过渡电极的铜质基座热沉，在基座热沉的上端通过铟层烧结设置有一个半导体激光芯片，半导体激光芯片通过金丝导线与过渡电极联接，过渡电极通过负极引线接至电源。电源接通后由负极引线传输到基座热沉带的正电极，电极通过金丝导线输入半导体激光芯片，再由芯片发光面激发射出近红外激光。与现有技术相比，本实用新型具有封装结构先进、操作方便、成本低、工作性能稳定、发光效率高、使用寿命长等优点，其技术产品的应用推广适宜于大功率激光器产品的发展和使用。

主权项

1、一种高效封装结构的半导体激光器，其特征在于包括一个上部烧结镀设有导电铟层(4)且带有过渡电极(2)的铜质基座热沉(6)，在基座热沉(6)的上端通过铟层(4)烧结设置有一个半导体激光芯片(5)，半导体激光芯片(5)通过金丝导线(3)与过渡电极(2)联接，过渡电极(2)通过负极引线(1)接至电源。