| 发明名称 | 具有背面破坏防护的半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供一种防破坏半导体装置(5；20；30；40；50；60)，其包括形成在基板(7)的电路侧(6)上的多个电子电路，所述基板具有作为半导体装置的背面(8)的相对侧，所述半导体装置包括至少一个发光器件(9a-f；21)和至少一个光敏器件(10a-f；22a-b)，它们被设置在半导体装置的所述电路侧(6)上。所述发光器件(9a-f；21)被布置来将包括所述基板(7)透射的波长范围的光向着所述背面(8)发射到所述基板；以及所述光敏器件(10a-f；22a-b)被布置来感测通过所述基板(7)且在所述背面(8)上反射之后的所述发射的光的至少一部分，并且被布置来输出指示所述背面的反射状态的信号，因此能够检测对半导体装置(5；20；30；40；50；60)的背面(8)进行破坏的尝试。通过本发明，半导体装置可装备有背面破坏防护，既不会限制半导体装置的应用领域，也不会限制对装置封装的选择。 | ||
| 申请公布号 | CN101617319A | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200880005489.4 | 申请日期 | 2008.02.13 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 弗兰克·萨卡里亚斯 |
| 分类号 | G06F21/00(2006.01)I;G06K19/073(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I | 主分类号 | G06F21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 源;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种防破坏半导体装置(5；20；30；40；50；60)，包括形成在基板(7)的电路侧(6)上的多个电子电路，所述基板(7)具有作为半导体装置的背面(8)的相对侧，所述半导体装置包括：至少一个发光器件(9a-f；21)和至少一个光敏器件(10a-f；22a-b)，它们被设置在半导体装置的电路侧(6)上；其特征在于所述发光器件(9a-f；21)被布置来将包括所述基板(7)透射的波长范围的光向着所述背面(8)发射到所述基板；以及所述光敏器件(10a-f；22a-b)被布置来感测通过所述基板(7)且在所述背面(8)上反射之后的发射光的至少一部分，并且被布置来输出指示所述背面的反射状态的信号，因此能够检测对半导体装置(5；20；30；40；50；60)的背面(8)进行破坏的尝试。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||