发明名称 薄膜晶体管制造方法和显示装置
摘要 在其中要在基板1上形成栅电极4的薄膜晶体管的制造方法中,该方法具有以下步骤:在基板1上形成栅电极4;以覆盖所述栅电极4的方式形成金属氧化物层7;形成源电极6和漏电极5;以及在惰性气体中实施退火,以将金属氧化物层7的一部分变成沟道区域。
申请公布号 CN101617408A 申请公布日期 2009.12.30
申请号 CN200880005310.5 申请日期 2008.02.18
申请人 佳能株式会社 发明人 佐野政史;林享
分类号 H01L29/786(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 魏小薇
主权项 1.一种用于制造其中要在基板上形成栅电极的薄膜晶体管的方法,该方法包括以下步骤:在所述基板上形成所述栅电极;以覆盖所述栅电极的方式形成金属氧化物层;形成源电极和漏电极;以及在惰性气体中实施热处理,以将所述金属氧化物层的一部分变成沟道区域。
地址 日本东京