| 发明名称 | 一种堆垛交叉阵列的存储结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种堆垛交叉阵列的存储结构，包括衬底，该衬底上镀有第一条状电极，在未镀有第一条状电极的衬底及第一条状电极上形成具有电阻开关效应的材料薄膜，该薄膜上设有与第一条状电极相交叉的第二条状电极，该薄膜包括设置在衬底上的第一部分及设置在第一条状电极上的第二部分。本发明避免对具有电阻开关效应的薄膜的刻蚀，简化了存储结构的制备过程。 | ||
| 申请公布号 | CN101615622A | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200910041379.X | 申请日期 | 2009.07.24 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 刘雅晶;吴曙翔;李树玮 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 禹小明 |
| 主权项 | 1、一种堆垛交叉阵列的存储结构，包括衬底，其特征在于：该衬底上镀有第一条状电极，在未镀有第一条状电极的衬底及第一条状电极上形成具有电阻开关效应的材料薄膜，该薄膜上设有与第一条状电极相交叉的第二条状电极，该薄膜包括设置在衬底上的第一部分及设置在第一条状电极上的第二部分。 | ||
| 地址 | 510275广东省广州市新港西路135号 | ||