| 发明名称 | 测试基体、测试基体掩膜及测试基体的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种测试基体，所述测试基体包括至少一个连续测试单元系列，单一所述连续测试单元系列中包含至少两个连续测试单元，所述连续测试单元包含一个测试基元和一个测试辅助基元，所述连续测试单元系列内测试基元和测试辅助基元间隔相接；同一所述连续测试单元系列内不同连续测试单元包含的所述测试基元与所述测试辅助基元的尺寸之比相同，相邻的连续测试单元间所述测试基元和所述测试辅助基元的尺寸渐变。可通过检测所述钝化层表面氧化物的残留，进而可获得合适的工艺窗口，以抑制所述钝化层表面氧化物残留现象的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN100576528C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200710040262.0 | 申请日期 | 2007.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓永平 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1.一种测试基体，其特征在于：所述测试基体包括至少一个连续测试单元系列，单一所述连续测试单元系列中包含至少两个连续测试单元，所述连续测试单元包含一个测试基元和一个测试辅助基元，所述连续测试单元系列内测试基元和测试辅助基元间隔相接；同一所述连续测试单元系列内不同连续测试单元包含的所述测试基元与所述测试辅助基元的尺寸之比相同，相邻的连续测试单元间所述测试基元和所述测试辅助基元的尺寸渐变。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||