发明名称 发光二极管
摘要 一种发光二极管,包括一发光芯片及一第一胶体,该第一胶体覆盖在该发光芯片上方,该发光芯片包括一发光面,该第一胶体包括一出光面,该出光面与发光面相对,该第一胶体的出光面上分布有由第二胶体制成的若干胶体点,该胶体点的折射率比该第一胶体的折射率大。在胶体点的作用下,所述发光二极管的大部分光线可被汇聚起来集中向上方照射,还可减少由于全反射造成的光损失,提高该发光芯片的光线利用率。
申请公布号 CN101614327A 申请公布日期 2009.12.30
申请号 CN200810068073.9 申请日期 2008.06.27
申请人 富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 发明人 张家寿
分类号 F21S2/00(2006.01)I;F21V5/00(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N 主分类号 F21S2/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1.一种发光二极管,包括一发光芯片及一第一胶体,该第一胶体覆盖在该发光芯片上方,该发光芯片包括一发光面,该第一胶体包括一出光面,该出光面与发光面相对,其特征在于:该第一胶体的出光面上分布有由第二胶体制成的若干胶体点,该胶体点的折射率比该第一胶体的折射率大。
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