| 发明名称 | 用于形成具有包括氮化层的极间电介质的屏蔽栅沟槽FET的结构和方法 | ||
| 摘要 | 屏蔽栅场效应晶体管(FET)包括延伸进入半导体区的多个沟槽。屏蔽电极设置在每个沟槽的底部中，并且栅电极设置在每个沟槽中的屏蔽电极之上。极间电介质(IED)在屏蔽电极和栅电极之间延伸。IED包括第一氧化层和在第一氧化层之上的氮化层。 | ||
| 申请公布号 | CN101615632A | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200910150293.0 | 申请日期 | 2009.06.26 |
| 申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 斯科特·L·亨特 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1.一种屏蔽栅场效应晶体管(FET)，包括：多个沟槽，延伸进入半导体区；屏蔽电极，在每个沟槽的底部中；栅电极，在所述屏蔽电极之上；以及极间电介质(IED)，在所述屏蔽电极和所述栅电极之间延伸，所述IED包括：(i)第一氧化层，以及(ii)在所述第一氧化层之上的氮化层。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||