| 发明名称 | 双镶嵌结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种双镶嵌结构的形成方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底中形成有金属导线层；在所述半导体基底上形成含氮的高应力介质层；在所述含氮的高应力介质层上形成介电层；在所述介电层中形成开口。该方法形成的器件中金属导线沿介质层不会发生电击穿的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN100576496C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200610119153.3 | 申请日期 | 2006.12.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 汪钉崇;蓝受龙;杨小明 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种双镶嵌结构的形成方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底中形成有金属导线层；对所述半导体基底进行等离子体表面预处理；执行所述等离子体表面预处理之后，在所述半导体基底上形成含氮的高应力介质层；在所述高应力介质层上形成介电层；在所述介电层中形成开口；其中，所述高应力介质层为氮化硅，形成所述氮化硅的反应气体包括硅烷、氨气和氮气；所述硅烷流量为420至490sccm，氨气流量为100至200sccm；氮气的流量为15000至20000sccm。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||