| 摘要 |
1. Способ анализа квантовой эффективности полупроводникового светоизлучающего прибора, содержащий: ! обеспечение изображения слоя полупроводника полупроводникового светоизлучающего прибора; ! преобразование этого изображения в двоичное изображение ! получение размерности Реньи Dq для степени q в качестве параметра мультифрактального анализа двоичного изображения и ! определение размерности Реньи Dq в качестве критерия квантовой эффективности полупроводникового светоизлучающего прибора. ! 2. Способ по п.1, в котором размерность Реньи Dq определяют по нижеприведенному уравнению: ! , ! где в случае, когда двоичное изображение разделяется на число N квадратных участков со сторонами, каждая из которых имеет длину L, Pi определяют по нижеприведенному уравнению: ! , ! где mi(L) устанавливают равным 1, если i-й участок включает в себя пиксель, имеющий значение пикселя 1, и mi(L) устанавливают равным 0, если i-й участок не включает в себя пиксель, имеющий значение пикселя 1. ! 3. Способ по п.1, в котором определение размерности Реньи Dq в качестве критерия квантовой эффективности полупроводникового светоизлучающего прибора содержит: ! получение значения Δq, заданного уравнением ; и ! определение полученного значения Δq в качестве критерия квантовой эффективности полупроводникового светоизлучающего прибора. ! 4. Способ по п.1, в котором изображение представляет собой изображение с уровнями серого, ! при этом преобразование этого изображения в двоичное изображение содержит: ! установку значения пикселя равным 0, когда этот пиксель имеет величину уровня серого, которая больше или равна предварительно заданной пороговой величине; и ! установ |
