Durch-Substrat-Via-Halbleiterkomponenten

摘要

Eine Struktur und ein Verfahren zum Ausbilden von Durch-Substrat-Vias beim Ausbilden von Halbleiterkomponenten werden beschrieben. Bei einer Ausführungsform beschreibt die Erfindung ein Verfahren zum Ausbilden eines Durch-Substrat-Vias durch teilweises Füllen einer Öffnung mit einem Füllmaterial und Ausbilden einer ersten Isolierschicht über dem ersten Füllmaterial, wodurch über der Öffnung ein Spalt ausgebildet wird. Das Verfahren beinhaltet weiterhin das Ausbilden einer zweiten Isolierschicht zum Schließen des Spalts, wodurch innerhalb der Öffnung ein eingeschlossener Hohlraum ausgebildet wird.