Leistungstransistor für hohe Spannungen in SOI-Technologie

摘要

Es wird ein integrierbarer Leistungstransistor für hohe Spannungen (ca. 700 Volt) beschrieben, der in Dickschicht-SOI-Technologie mit ca. 50 µm dicken aktiven Siliziumschichten herstellbar ist. Der Aufbau ist eine Kombination eines DMOS-Transistors mit vertikaler Driftzone und einem unipolaren Leistungsmechanismus mit einem lateralen IGBT. Das Draingebiet des vertikalen DMOS-Transistors wird durch eine vergrabene hoch dotierte laterale Schicht gebildet und über die vertikale hoch dotierte Schicht an der Grabenseitenwand zur Oberfläche geführt. Der Drainanschluss des DMOS-Transistors ist so gestaltet, dass er gleichzeitig als Anschluss des IGBT-Emitters fungiert.