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Ein Herstellungsverfahren für eine SiC-Vorrichtung weist auf: Ausbilden einer Driftschicht (2) auf einem Substrat (1) mit einer Ausrichtung, die um einen Versatzwinkel gegenüber einer bestimmten Ausrichtung verkippt oder schräg gestellt ist; schräges Implantieren einer Verunreinigung eines zweiten Typs mit einer Maske (20) auf der Driftschicht, so dass eine tiefe Schicht (10) in der Driftschicht gebildet wird, wobei die Verunreinigung so implantiert wird, dass der Versatzwinkel aufgehoben wird; Ausbilden eines Basebereichs (3) auf der tiefen Schicht und der Driftschicht; Implantieren einer Verunreinigung eines ersten Typs auf dem Basebereich, so dass ein Sourcebereich (4) hoher Verunreinigung gebildet wird; Ausbilden eines Grabens (6) mit einem Boden, der schmäler als die tiefe Schicht ist, auf dem Sourcebereich, so dass die Driftschicht erreicht wird; Ausbilden einer Gateelektrode (9) in dem Graben über einen Gateisolationsfilm (8); Ausbilden einer Sourceelektrode (11) auf dem Sourcebereich und dem Basebereich; und Ausbilden einer Drainelektrode (13) auf dem Substrat.
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