发明名称 发光二极管及其制造方法
摘要 一种发光二极管(LED)及其制造方法。此发光二极管至少包括:一导电基板具有相对的第一表面以及第二表面;一金属接合层设于导电基板的第一表面上;一金属反射层接合在金属接合层上;一透明导电层,接合在金属反射层的表面上;一N型半导体层设于透明导电层之上;一N型金属接触层由一N型接触层和一金属材料层组成,设于透明导电层与N型半导体层之间且嵌设于透明导电层中,其中N型接触层位于部分的N型半导体层下方,金属材料层设于N型接触层下方;一主动层设于N型半导体层上;一P型半导体层设于主动层上;一窗户层设于P型半导体层上,其中此窗户层的厚度为50μm以上,且窗户层是由透明导电材料所组成;以及一P型电极设于窗户层上。
申请公布号 CN100573937C 申请公布日期 2009.12.23
申请号 CN200610172828.0 申请日期 2006.12.29
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 许世昌;洪详竣;魏世祯;苏住裕
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波
主权项 1.一种发光二极管,至少包括:一导电基板,具有相对的一第一表面以及一第二表面;一金属接合层,设于该导电基板的该第一表面上;一金属反射层,接合在该金属接合层上;一透明导电层,接合在该金属反射层的表面上;一N型半导体层,设于该透明导电层之上;一N型金属接触层由一N型接触层和一金属材料层所组成,设于该透明导电层与该N型半导体层之间且嵌设于该透明导电层中,其中该N型接触层位于部分的该N型半导体层下方,金属材料层设于该N型接触层下方;一主动层,设于该N型半导体层上;一P型半导体层,设于该主动层上;一窗户层,设于该P型半导体层上,其中该窗户层的一厚度为50μm以上,且该窗户层是由一透明导电材料所组成;以及一P型电极,设于该窗户层上。
地址 台湾省新竹科学工业园区力行五路5号