| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种半导体装置，包含一栅极叠层；一气隙，位于所述栅极叠层下；一半导体层，垂直位于所述栅极叠层与所述气隙之间；以及一第一介电层，位于所述的半导体层之下且邻接于所述半导体层。而所述的第一介电层是暴露于所述的气隙，藉由在气隙中形成介电层，以确保气隙的形成，使硅架空金氧半场效晶体管的短通道效应获得改善，且也能降低漏电流的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN101609842A | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200810161878.8 | 申请日期 | 2008.10.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王大维;张智胜 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿 宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于其包含：一栅极叠层；一气隙，位于该栅极叠层下；一半导体层，垂直于该栅极叠层与该气隙之间；以及一第一介电层，位于该半导体层之下且邻接于该半导体层，其中该第一介电层暴露于该气隙。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||