用于太阳能电池制造的沉积半导体薄层的技术和装置

摘要

本发明以不同实施方式有利地提供低成本沉积技术以形成高质量、致密、良好粘附的并具有宏观尺度和微观尺度组成均匀的IBIIIAVIA化合物薄膜。在一个实施方式中，提供在基底上生长IBIIIAVIA族半导体层的方法。该方法包括在基底上沉积IB族材料薄膜和至少一层IIIA族材料，相互混合IB族材料和至少一层IIIA族材料以形成相互混合的层，在相互混合的层上形成包括至少一层IIIA族材料亚层和IB族材料亚层的金属薄膜。还描述了其它实施方式。

主权项

1.在基底上生长IBIIIAVIA族半导体层的方法，包括；在基底上沉积IB族材料薄膜和至少一层IIIA族材料；相互混合IB族材料薄膜和至少一层IIIA族材料以形成相互混合的层；和在相互混合的层上形成包括IIIA族材料亚层与IB族材料亚层中的至少一层的金属薄膜；和将相互混合的层和金属薄膜与VIA族材料反应从而生长IBIIIAVIA族半导体层。