半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：在衬底上的，具有在所述衬底上的绝缘膜中形成的第一沟槽中设置的栅电极的第一导电型MOS晶体管；和在所述衬底上的，具有在所述绝缘膜中形成的第二沟槽中设置的栅电极的第二导电型MOS晶体管，所述第一导电型和所述第二导电型为彼此相反的类型。本发明中的半导体器件可以在进行抛光的同时抑制和防止电腐蚀，从而可以获得高可靠性的栅极结构，且可以提高晶体管的表现。

主权项

1、一种半导体器件，包括：在衬底上的，具有在所述衬底上的绝缘膜中形成的第一沟槽中设置的栅电极的第一导电型MOS晶体管，和在所述衬底上的，具有在所述绝缘膜中形成的第二沟槽中设置的栅电极的第二导电型MOS晶体管，所述第一导电型和所述第二导电型为彼此相反的类型；其中，所述第一导电型MOS晶体管的第一栅电极材料层、所述第二导电型MOS晶体管的第二栅电极材料层和电极金属层形成于所述第一沟槽中，且栅极绝缘膜形成于所述第一栅电极材料层和所述第一沟槽之间，在所述第一沟槽中，所述第一栅电极材料层和所述第二栅电极材料层被所述电极金属层覆盖；且所述第二导电型MOS晶体管的第二栅电极材料层和所述电极金属层形成于所述第二沟槽中，且所述栅极绝缘膜形成于所述第二栅电极材料层和所述第二沟槽之间，在所述第二沟槽中，所述第二栅电极材料层被所述电极金属层覆盖。