半导体装置及其制造方法、半导体基板的制造方法

摘要

本发明公开了一种具备诱发了应变的硅膜的半导体基板及其制造方法、使用了该半导体基板的半导体装置及其制造方法。半导体基板具有单晶硅基板、在其上层叠氧化硅膜以及沿基板面向平行方向诱发拉伸应变的应变硅膜的结构。半导体基板的制造方法如下：在氧化硅膜上的硅膜上使硅锗膜外延生长，接着，以激光照射等对硅锗膜的表面进行短时间的加热。由此，伴随着硅锗膜的晶格缓和而在硅膜上诱发拉伸应变。接着除去硅锗膜。还公开有对于使用了该半导体基板的高速工作的n型MOS晶体管以及p型MOS晶体管。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具备：基板；形成在上述基板上的绝缘膜；在上述绝缘膜上，沿与基板面平行的方向诱发了应变的第一半导体层；形成在上述第一半导体层的源极以及漏极区域；在上述第一半导体层上由栅绝缘膜以及栅电极构成的栅层叠体，其特征在于，具备：通过外延生长而在第一半导体层上形成第二半导体层的工序；加热上述第二半导体层的工序；除去上述第二半导体层的工序，上述第二半导体层的面内方向的晶格常数与上述第一半导体层不同，加热上述第二半导体层的工序是向第二半导体层的表面照射能量线从而在第一半导体层诱发应变。