用于形成具有鳍状结构的半导体元件的方法

摘要

本发明公开了一种用于形成具有鳍状结构的半导体元件的方法。所述方法包括：(a)在硅基板的上形成元件隔离膜，以界定有源区域；(b)蚀刻形成栅极的区域的硅基板以形成沟槽；(c)选择性地蚀刻与沟槽两侧相邻的元件隔离膜，(d)在所产生的结构的整个表面的上形成栅极氧化膜；(e)在所产生的结构的整个表面的上沉积电极材料以形成一栅极电极；以及(f)在该栅极电极的侧壁的上形成栅极分隔物。

主权项

1.一种用于形成具有鳍状结构的半导体元件的方法，所述方法包括：(a)在硅基板的上形成元件隔离膜，以界定有源区域，其中所述元件隔离膜具有包含依序被沉积的第一氧化膜以及第二氧化膜的双氧化膜结构，所述第一氧化膜具有比所述第二氧化膜更快的湿式蚀刻的速度；(b)蚀刻所述有源区域的一个形成栅极的区域的硅基板，以形成沟槽；(c)根据在所述第一氧化膜以及第二氧化膜之间的蚀刻速度差，选择性地湿式蚀刻与所述沟槽的两侧相邻的元件隔离膜；(d)在步骤(c)产生的结构的整个表面的上形成栅极氧化膜；(e)在步骤(d)产生的结构的整个表面的上沉积电极材料，以形成栅极电极；以及(f)在所述栅极电极的侧壁的上形成栅极分隔物。