| 发明名称 | 用激光对集成电路进行修正的方法及装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种对半导体集成电路内的冗长电路的导电连接进行切割的方法和装置。在选择性地切割多个被保护层掩埋的导电连接的方法中，所述保护层至少覆盖半导体衬底上形成的半导体集成电路内的导电连接，将聚焦光束定位在作为目标的连接上，产生第一脉冲激光和第二脉冲激光，所述第一脉冲激光为激光波长在400nm以下的紫外光束，所述第二脉冲激光为波长大于400nm的可见光束，将所述第一和第二脉冲激光重叠并从所述保护层的上方开始朝向所述导电连接进行照射。也可以使第二脉冲激光比第一脉冲激光的照射时间延迟。 | ||
| 申请公布号 | CN101611488A | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200780045461.9 | 申请日期 | 2007.12.07 |
| 申请人 | 彩覇阳光株式会社;未来企业股份公司 | 发明人 | 辻川晋;镰田将尚;住吉哲实 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;B23K26/08(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 朦;王艳春 |
| 主权项 | 1.一种用激光对集成电路进行修正的方法，该方法利用选择性的激光照射来切割多个被保护层掩埋的导电连接，所述保护层至少覆盖半导体衬底上形成的半导体集成电路内的导电连接，其特征在于包括以下步骤：将激光定位在作为目标的导电连接上；产生第一脉冲激光和第二脉冲激光，所述第一脉冲激光为激光波长在400nm以下的紫外光束，所述第二脉冲激光为波长大于400nm的可见光束；将所述第一和第二脉冲激光重叠；以及将重叠的第一和第二脉冲激光从所述保护层的上方开始朝向所述导电连接照射以进行切割。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||