电子发射装置

摘要

本发明涉及一种电子发射装置，其具有优化的内部结构，其中从电子发射区域发射的电子朝向荧光体层笔直地迁移。该电子发射装置包括彼此面对的第一和第二基板、以及形成在第一基板上的阴极电极。电子发射区域形成在阴极电极上。绝缘层和栅极电极形成在阴极电极上且具有暴露电子发射区域的开口。荧光体层形成在第二基板上。阳极电极形成在荧光体层的表面上。阴极和阳极电极之间的距离z满足下面的条件：0.7d((Va-Vc)/Vg)≤z≤1.4d((Va-Vc)/Vg)，其中Vc表示施加到阴极电极的电压，Vg是施加到栅极电极的电压，Va是施加到阳极电极的电压，d是阴极和栅极电极之间的距离。

主权项

1.一种电子发射装置，包括：第一基板；第二基板，其面对所述第一基板；阴极电极，其形成在所述第一基板上；电子发射区域，其形成在所述阴极电极上；绝缘层和栅极电极，其形成在所述阴极电极上且具有暴露所述电子发射区域的开口；荧光体层，其形成在所述第二基板上；以及阳极电极，其形成在所述荧光体层的表面上，其中所述阴极和所述阳极电极之间的距离z满足下面的条件：0.7d((Va-Vc)/Vg)≤z≤1.4d((Va-Vc)/Vg)，其中Vc表示施加到所述阴极电极的电压，Vg是施加到所述栅极电极的电压，Va是施加到所述阳极电极的电压，d是所述阴极和所述栅极电极之间的距离，且其中Vc、Vg和Va用单位伏特表示，d和z用单位微米表示。