| 发明名称 | 衬底及其制备方法以及半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开其上接合有GaN薄膜的衬底及其制备方法以及基于GaN的半导体器件及其制备方法。提供一种制造薄GaN接合膜衬底的方法，包括步骤：在GaN块状晶体上接合与GaN类型或化学成分不同的衬底；在离不同类型的衬底的界面具有至少0.1μm和至多100μm距离的平面处隔开GaN块状晶体，以在不同类型的衬底上提供GaN薄膜，其中GaN块状晶体具有接合到不同类型的衬底的表面，具有至多20μm的最大表面粗糙度Rmax。由此可以以低成本制备一种包括薄GaN接合膜衬底和沉积在GaN薄膜上的至少一个基于GaN的半导体层的基于GaN的半导体器件，该薄GaN接合膜衬底包括不同类型的衬底和固定在不同类型衬底上的GaN薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100573822C | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200710127356.1 | 申请日期 | 2007.07.02 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 笠井仁;八乡昭广;三浦祥纪;秋田胜史 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种制造薄GaN接合膜衬底的方法，包括如下步骤：制造和抛光GaN块状晶体；在GaN块状晶体上接合与GaN不同类型的衬底，其中所述类型不同的衬底即化学成分不同的衬底；以及，在离不同类型的所述衬底的界面具有至少0.1μm和至多100μm距离的平面处隔开所述GaN块状晶体，以在不同类型的所述衬底上提供GaN薄膜，其中所述GaN块状晶体具有接合到不同类型的所述衬底的表面，具有至多20μm的最大表面粗糙度Rmax。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 | ||