一种半导体芯片

摘要

一种半导体芯片，包括N极区域、P极区域，以及N极区域与P极区域之间的电子-空穴复合区域，其特征在于，各电极设有两个或两个以上可供引线的电极部位。这种半导体芯片可用于大功率发光二极管芯片和其它半导体器件的制备，即不限于在LED领域的应用，还可用作IC上的大功率芯片、激光二极管(LD)、紫外探测器、各种其它晶体管器件等。由于设置有多个电极部位，因此克服了以往由于引线不当造成芯片性能下降或报废的问题，提高了芯片的可靠性和工作电流的均匀性，并因此提高了发光效率。

主权项

1、一种半导体芯片，包括N电极(104)、P电极(105)、N极区域(101)、P极区域(103)，以及N极区域(101)与P极区域(103)之间的电子-空穴复合区域，所述N电极(104)有两个或两个以上N电极部位，所述P电极(105)有两个或两个以上P电极部位(105A、105B)；其特征在于，所述N电极(104)设置在N极区域(101)的一整条边缘上，所述N电极(104)的N电极部位(104A、104B)分别设置在所述一整条边缘的两端，所述N电极部位(104A、104B)是所述N电极(104)的组成部分；并将整个P极区域设置成P电极；或者，所述P电极(105)设置在所述P极区域(103)上的与所述N电极部位(104A、104B)所处边相平行的另一整条边缘上，其中所述P电极(105)的所述P电极部位(105A、105B)分别设置在此一整条边缘的两端；并将整个所述N极区域设置成N电极；所述芯片还包括衬底(100)，所述N极区域(101)、P极区域(103)在所述衬底(100)的同一侧，其中，N极区域(101)较靠近衬底(100)，P极区域(103)较远离衬底(100)，并设有开通于N极区域(101)并穿过或部分地深入到电子-空穴区域(102)而延伸到P极区域(103)或开通于P极区域(103)并穿过或部分地深入到电子-空穴区域(102)而延伸到N极区域(101)的开口(106)。