| 发明名称 | 一种制备ZnO纳米线阵列的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及ZnO纳米材料的制备技术领域中的针状和六角柱状ZnO纳米线阵列的可控制备方法。本发明制备ZnO薄膜的方法是首先在衬底材料上制备出银或铜的薄膜，然后将衬底浸入到总体积为50ml的5～120mM的硝酸锌水溶液与10～30mM的二甲基胺硼烷水溶液中，保持溶液温度为60～90℃，充分反应后可在衬底上得到氧化锌薄膜。本发明的制备方法在衬底上形成铜或银的薄膜可以用磁控溅射的方法，或者真空蒸镀的方法，或者真空溅射的方法实现，也可以在铜的衬底表面进行抛光处理获得可生长氧化锌纳粹阵列的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101608305A | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200910203556.X | 申请日期 | 2009.05.20 |
| 申请人 | 兰州大学 | 发明人 | 李建功;田强;王谦;黄娟娟;张旭东;王花枝 |
| 分类号 | C23C22/05(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C03C17/36(2006.01)I | 主分类号 | C23C22/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张 晋 |
| 主权项 | 1、制备ZnO薄膜的方法，其特征是将铜的衬底表面进行抛光处理，然后将衬底浸入到总体积为50ml的5～120mM的硝酸锌水溶液与10～30mM的二甲基胺硼烷水溶液中，保持溶液温度为60～90℃，充分反应后可在衬底上得到氧化锌薄膜。 | ||
| 地址 | 730000甘肃省兰州市天水南路222号 | ||