声表面波装置以及通信装置

摘要

本发明涉及一种通频带外衰减特性优良的声表面波装置，具有压电基板(17)，其下面形成有IDT电极(3、4)、将上述IDT电极(3、4)包围起来且与IDT电极(3)相连接的环状接地电极(6)；以及基体(5)，上面形成有环状接地导体(7)，具有与环状接地导体(7)相连接的内部接地导体层(10a)、下面接地导体层(11a)、与IDT电极(4)相连接的内部接地导体层(10b)、及下面接地导体层(11b)。内部接地导体层(10a)与下面接地导体层(11a)所构成的第1接地用导体，与内部接地导体层(10b)与下面接地导体层(11b)所构成的第2接地用导体被直流分离。

主权项

1.一种声表面波装置，其特征在于，包括：压电基板，其下面形成有第1IDT电极、第2IDT电极、所述第2IDT电极的接地端子、以及环状接地电极，该环状接地电极将所述第1IDT电极与第2IDT电极包围起来并且与所述第1IDT电极连接，用作所述第1IDT电极的接地端子；以及基体，在上面形成有对应于所述环状接地电极的环状接地导体，以及对应于所述第2IDT电极的接地端子的接地焊盘，用来与所述压电基板的形成有所述IDT电极的面相面对安装；所述基体的所述环状接地导体，与在所述基体的下面设置的包括第1下面接地导体层所构成的第1接地用导体相连接；所述基体的所述接地焊盘，与在所述基体的下面设置的包括第2下面接地导体层所构成的第2接地用导体相连接；所述第1接地用导体与所述第2接地用导体被直流分离，所述环状接地导体的一部分与所述第1下面接地导体层相面对设置。