发明名称 一种快响应宽频段光探测器
摘要 本发明涉及一种快响应宽频段光探测器,包括:p型或n型硅片为衬底;在其上相应生长一层n型或p型的光响应材料层做成芯片,所述的光响应层为生长在硅片衬底上的掺杂钛酸锶薄膜,该掺杂钛酸锶光响应材料层厚度为0.5nm-5μm;第一电极设置在光响应材料层上,第二电极设置在硅片面上,每根电极引线的一端分别与二个电极连接,电极引线的另一端是信号输出端;电阻的两端分别和电极引线的输出端连接。该探测器均为光生伏特型,当光照射后直接产生电压信号,不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外,可响应飞秒脉宽的激光脉冲,激光脉冲产生电压脉冲的前沿小于1ns,半宽度小于2ns,脉冲全宽度仅为几个ns。
申请公布号 CN100573060C 申请公布日期 2009.12.23
申请号 CN200510071811.1 申请日期 2005.05.24
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 赵昆;吕惠宾;黄延红;何萌;金奎娟;陈正豪;周岳亮;杨国桢
分类号 G01J1/42(2006.01)I;G01J9/00(2006.01)I;G01J11/00(2006.01)I 主分类号 G01J1/42(2006.01)I
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人 高存秀
主权项 1.一种快响应宽频段光探测器,包括:p型或n型硅片为衬底(1);在所述的p型或n型硅片为衬底(1)上相应生长一层n型或p型的掺杂钛酸锶薄膜层做成芯片;其特征在于:还包括一电阻(5)、第一电极(3)、第二电极(4)和两根引线(6),以及一绝缘层(7),所述的绝缘层(7)外延生长在衬底(1)与所述的n型或p型的掺杂钛酸锶薄膜层之间,所述的绝缘层(7)的厚度为10nm~500nm;所述的掺杂钛酸锶薄膜层为光响应材料层(2),该光响应材料层(2)厚度为0.5nm-5μm;第一电极(3)设置在光响应材料层(2)上,第二电极(4)设置在衬底(1)面上,两根电极引线(6)的一端分别与第一电极(3)和第二电极(4)连接,电极引线(6)的另一端是信号输出端;电阻(5)的两端分别和两根电极引线(6)的输出端连接;所述的快响应宽频段光探测器是光生伏特型光电探测器;所述的掺杂钛酸锶薄膜层是Sr1-xRxTiO3或SrMyTi1-yO3;其中R包括:La、Dy、Y、Sm或Gd;其中M包括:Nb、Sb、Ta、In、Mn、W、Mg或Fe;其x值为0.005~0.5,y值为0.005~0.5;所述的电阻(5)的阻值为0.01Ω~1MΩ。
地址 100080北京市海淀区中关村南三街8号