碲铟汞光电探测器芯片制作方法

摘要

本发明涉及一种碲铟汞光电探测器芯片制作方法，经过碲铟汞(Hg₃In₂Te)晶片表面处理、晶片表面生长氧化层、生长钝化保护层、去除探测器光敏区的钝化层、在光敏区形成碲铟汞氧化膜、生长透明金属氧化物电极ITO薄膜、利用光刻技术及剥离工艺，最后去除电极以外区域的ITO薄膜形成肖特基接触电极结构，在晶片表面生长氧化层以及在光敏区形成碲铟汞氧化膜是利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)系统依靠自身氧化生长而成。由于采用等离子氧化技术使得碲铟汞晶片氧化膜具有均匀、致密、稳定等优点，提高了肖特基势垒，而且提高了开路电压与效率。

主权项

1、一种碲铟汞光电探测器芯片制作方法，经过碲铟汞(Hg3In2Te6)晶片表面处理、晶片表面生长氧化层、晶片表面的氧化层上生长钝化保护层、去除探测器光敏区的钝化层、在光敏区形成碲铟汞氧化膜、在晶片表面蒸发或溅射上一层透明金属氧化物电极ITO薄膜、利用光刻技术及剥离工艺，最后去除电极以外区域的ITO薄膜形成肖特基接触电极结构，其特征在于，在晶片表面生长氧化层以及在光敏区形成碲铟汞氧化膜是利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)系统依靠自身氧化生长而成。