| 发明名称 | 纳米Ge粒子弥散陶瓷基体光致发光材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于无机纳米光致发光材料领域。一种纳米Ge粒子弥散陶瓷基体光致发光材料，其特征在于它由铝源、硅源和锗源原料制备而成，铝源中Al、硅源中Si、锗源中Ge符合化学式Al<sub>12</sub>(Si<sub>4-x</sub>Ge<sub>x</sub>)O<sub>26</sub>，其中0＜x≤1；所述的铝源为硝酸铝、异丙醇铝或氯化铝；硅源为正硅酸乙酯；锗源为3-三氯锗丙酸或正锗酸乙酯。该方法得到的材料的化学稳定性好，该方法具有工艺简单、成本低的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN100572326C | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200710051958.3 | 申请日期 | 2007.04.24 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 王皓;高乐;王为民;傅正义 |
| 分类号 | C04B35/515(2006.01)I;C04B35/624(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/515(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 唐万荣 |
| 主权项 | 1.一种纳米Ge粒子弥散陶瓷基体光致发光材料，其特征在于它由铝源、硅源和锗源原料制备而成，铝源中Al、硅源中Si、锗源中Ge符合化学式Al12(Si4-xGex)O26，其中0＜x≤1；所述的铝源为硝酸铝、异丙醇铝或氯化铝；硅源为正硅酸乙酯；锗源为3-三氯锗丙酸或正锗酸乙酯。 | ||
| 地址 | 430070湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||