| 发明名称 | 图像传感器结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及图像传感器结构及其制造方法。本发明提供的图像传感器结构的制造方法，包括：提供一基板；于上述基板上依序形成一图像传感器电路结构、一分隔层以及一图案化电极层；移除未被上述图案化电极层覆盖的上述分隔层，以形成一图案化分隔层，其中上述图案化分隔层的侧壁是凹陷于上述图案化电极层的侧壁；于上述图案化电极层上形成一第一掺杂非晶硅层，其中上述第一掺杂非晶硅层为一不连续层。 | ||
| 申请公布号 | CN100573850C | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200610170092.3 | 申请日期 | 2006.12.18 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 张锦维;王鸿宪 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张 波 |
| 主权项 | 1.一种图像传感器结构的制造方法，包括下列步骤：提供一基板；于该基板上依序形成一图像传感器电路结构、一分隔层以及一图案化电极层；移除未被该图案化电极层覆盖的该分隔层，以形成一图案化分隔层，其中该图案化分隔层的侧壁凹陷于该图案化电极层的侧壁；于该图案化电极层上形成一第一掺杂非晶硅层，其中该第一掺杂非晶硅层为一不连续层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||