| 发明名称 | 纳米弹性存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米弹性存储装置及其制造方法。所述纳米弹性存储装置包括：基底；布置在所述基底上的多个下电极；支承单元，在具有暴露所述下电极的空腔的基底上以预定厚度由绝缘材料形成；纳米弹性体，在所述空腔中从所述下电极的表面竖直延伸；和多个上电极，形成于所述支承单元上，并且在所述纳米弹性体上面与所述下电极垂直交叉。使用纳米弹性存储装置可以在比使用多个带型纳米管的传统存储装置低的驱动电压下运行，存储单元不相互影响，可靠性更高，集成度更高。 | ||
| 申请公布号 | CN100573897C | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200610092400.5 | 申请日期 | 2006.06.02 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 张柱韩;姜东勋;车映官;朴玩濬 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C13/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1.一种纳米弹性存储装置，包括：上电极和下电极，竖直地分开并且相互垂直交叉；和纳米弹性体，在所述上电极或下电极上向对面的所述下或上电极生长。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||