MOS-FET HAVING A CHANNEL CONNECTION, AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A MOS-FET HAVING A CHANNEL CONNECTION

摘要

Bei dem MOSFET ist die Gate-Elektrode (3) mit Aussparungen (18) versehen, in der jeweils eine Durchkontaktierung (9) angeordnet ist, die von der Gate-Elektrode (3) elektrisch isoliert ist. Die Durchkontaktierung (9) verbindet einen Anschlusskontakt (15) auf dem Halbleitermaterial des Kanalbereiches mit einem oberseitig angeordneten Anschlussleiter (14). Auf diese Weise ist ein Bodyanschluss realisiert, der ausreichend nah im Bereich der Bodyströme angeordnet ist, die beim Auftreten eines Snap-Back-Effektes generiert werden.