半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置(20、21、22)，它包括：沟道区域(4)，在半导体基板(1)的表层部上形成，是第1导电型；源极区域(25)，形成在贯通该沟道区域(4)形成的沟槽(17)的边缘部上，是与上述第1导电型不同的第2导电型；漏极区域(2)，在与上述沟槽(17)的底部邻接的区域上形成，是上述第2导电型；栅极绝缘膜(13)，沿着上述沟槽(17)的内侧壁形成；栅极电极(26、36)，在上述沟槽(17)内，配置为隔着上述栅极绝缘膜(13)与上述沟道区域(4)对置；导电层(37、40、40a、40b)，形成在上述沟槽(17)内，比上述栅极电极(26、36)更靠漏极区域(2)一侧；以及，绝缘层(15)，覆盖上述导电层(37、40、40a、40b)的周围，使上述导电层(37、40、40a、40b)、上述栅极电极(26、36)以及上述漏极区域(2)之间电绝缘。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：沟道区域，为第1导电型，形成在半导体基板的表层部上；源极区域，为不同于所述第1导电型的第2导电型，在贯通该沟道区域的具有深度的沟槽的边缘部上形成；漏极区域，为所述第2导电型，形成在与所述沟槽的底部相邻的区域中；栅极绝缘膜，沿着所述沟槽的内侧壁形成；栅极电极，配置为在所述沟槽内、隔着所述栅极绝缘膜与所述沟道区域对置；导电层，在所述沟槽内，形成为比所述栅极电极更靠所述漏极区域一侧；以及，绝缘层，覆盖所述导电层周围，使所述导电层、所述栅极电极以及所述漏极区域之间电绝缘，所述半导体装置含有多个所述导电层，所述多个导电层在沟槽的深度方向上排列，且在这多个导电层之间配置有所述绝缘层。