发明名称 |
场发射阴极及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种场发射阴极,包括基底、设置在基底上且厚度为60纳米~200纳米的金属电极和形成在金属电极上的碳纳米管阵列,其中,金属电极与碳纳米管阵列之间设置一个铝过渡层,该铝过渡层的厚度为5纳米~40纳米。本发明还涉及一种上述场发射阴极的制造方法。 |
申请公布号 |
CN100573778C |
申请公布日期 |
2009.12.23 |
申请号 |
CN200610061573.0 |
申请日期 |
2006.07.07 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
郑直;范守善 |
分类号 |
H01J1/304(2006.01)I;H01J29/04(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种场发射阴极,包括基底、设置在基底上且厚度为60纳米~200纳米的金属电极和形成在金属电极上的碳纳米管阵列,其特征在于,所述的金属电极与碳纳米管阵列之间设置一个铝过渡层,所述的铝过渡层的厚度为5纳米~40纳米,所述碳纳米管阵列中的碳纳米管定向排列。 |
地址 |
100084北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心310号 |