| 发明名称 | 掺杂纳米颗粒型半导体结 | ||
| 摘要 | 公开了用于电子设备中的掺杂半导体结和制造该结的方法。该结包括：在基材之上的用施体或受体掺杂的第一种多晶半导体层，要求该第一种掺杂半导体层具有第一种极性，该第一层包括熔结半导体纳米颗粒；和第二层，它与基材上的第一种半导体层发生接触以形成半导体结。 | ||
| 申请公布号 | CN101611496A | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200780051559.5 | 申请日期 | 2007.12.10 |
| 申请人 | 伊斯曼柯达公司 | 发明人 | K·B·卡亨 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 段晓玲;范 赤 |
| 主权项 | 1.制造用于电子设备中的掺杂半导体结的方法，该方法包括以下步骤：(a)在基材上形成用施体或受体掺杂的第一种多晶半导体层，要求第一种掺杂半导体层具有第一种极性，该第一层包括半导体纳米颗粒；和(b)形成与在基材上的第一种半导体层接触的第二层以形成半导体结；和(c)在形成第二层之前或之后将所沉积的第一种半导体层退火。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||