| 发明名称 | 氮化物单晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 在培养容器(1)内，在含有助熔剂以及单晶原料的熔液(2)中，在晶种基板(5)上制造氮化物单晶时，在培养容器(1)内的熔液(2)的水平方向上设置温度梯度。由此，通过助熔剂法培养氮化物单晶时，抑制杂晶附着到单晶上，并且使单晶的膜厚均匀化。 | ||
| 申请公布号 | CN101611178A | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200880005131.1 | 申请日期 | 2008.01.24 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 市村干也;今井克宏;岩井真;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;北冈康夫 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B19/02(2006.01)I;H01L21/208(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 | 代理人 | 徐申民 |
| 主权项 | 1.一种氮化物单晶的制造方法，在培养容器内，将晶种基板浸渍在含有助熔剂以及单晶原料的熔液中，而后在所述晶种基板的培养面上培养氮化物单晶，其特征在于，在所述培养容器内的所述熔液中，在水平方向上设置温度梯度。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县 | ||