| 发明名称 | 一种非挥发性存储器单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种非挥发性存储器单元及其制造方法。该挥发性存储器单元包括半导体衬底；栅氧电容，该栅氧电容位于半导体衬底与多晶硅栅极之间；浮置栅极，包括多晶硅栅极、与多晶硅栅极连接的第一通孔和该第一通孔上方的第一金属层；金属-绝缘体-金属电容，包括第一金属层、介电膜和电容上级板金属层；控制栅极，由电容上级板金属层、与该电容上级板金属层连接的第二通孔和该第二通孔上方的第二金属层形成；控制栅极的电压通过金属-绝缘体-金属电容控制浮置栅极的电荷分布进而通过栅氧电容控制沟道的耗尽或反型。采用本发明的技术方案避免了复杂的两层多晶硅工艺，可以容易的嵌入标准逻辑电路制程，使工艺更容易掌控。 | ||
| 申请公布号 | CN101609844A | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN200810125726.2 | 申请日期 | 2008.06.18 |
| 申请人 | 和舰科技（苏州）有限公司 | 发明人 | 夏洪旭;王政烈 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 屈小春 |
| 主权项 | 1.一种非挥发性存储器单元，其特征在于，包括：半导体衬底；栅氧电容，该栅氧电容位于半导体衬底与多晶硅栅极之间；浮置栅极，位于半导体衬底上方的第一介电层中，包括多晶硅栅极、与多晶硅栅极连接的第一通孔和该第一通孔上方的第一金属层；金属-绝缘体-金属电容，位于第一介电层上方的第二介电层中，包括第一金属层、介电膜和电容上级板金属层；控制栅极，由电容上级板金属层、与该电容上级板金属层连接的第二通孔和该第二通孔上方的第二金属层形成；控制栅极的电压通过金属-绝缘体-金属电容控制浮置栅极的电荷分布进而通过栅氧电容控制沟道的耗尽或反型。 | ||
| 地址 | 215025江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||