一种氧化镍薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种制备氧化镍薄膜的方法。该方法是采用直接氧化法制备氧化镍薄膜，包括以下步骤：在包括a)气体和b)气体的混合气氛中，将镍或镍钨合金置于反应器中进行热处理，得到所述氧化镍薄膜；所述a)气体为氩气、氮气或腐蚀性气体；所述腐蚀性气体由SO₂、CO₂和N₂组成；所述b)气体为氧气；所述a)气体与所述b)气体的体积比为99.3-99.7∶0.3-0.7；所述热处理的过程如下：以4℃/min～6℃/min的速率，将反应器的温度从室温升至300℃，接着以2～3℃/min的速率，将反应器的温度升至480～550℃，保持12～18小时。采用本发明方法可以获得表面形貌良好的氧化镍薄膜，该薄膜表面颗粒度均匀，厚度可达到50～80nm，而且本发明方法热处理温度在550℃以下，比较节约热能，为将来批量生长较长的二代超导带材打下坚实的基础。

主权项

1、一种制备氧化镍薄膜的方法，其特征在于：采用直接氧化法制备氧化镍薄膜，包括以下步骤：在包括a)气体和b)气体的混合气氛中，将镍或镍钨合金置于反应器中进行热处理，得到所述氧化镍薄膜；所述a)气体为氩气、氮气或腐蚀性气体；所述腐蚀性气体由SO2、CO2和N2组成，所述腐蚀性气体中SO2、CO2和N2的体积比为0.13-0.16∶18-21∶78.87-81.84；所述b)气体为氧气；所述a)气体与所述b)气体的体积比为99.3-99.7∶0.3-0.7；所述热处理的过程如下：以4～6℃/min的速率，将反应器的温度从室温升至300℃，接着以2～3℃/min的速率，将反应器的温度升至480～550℃，保持12～18小时。