| 发明名称 | 单晶硅及SOI基板、半导体装置及其制造方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单晶硅基板、SOI基板、半导体装置、显示装置、以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置在绝缘基板上具有，包含由SiO<sub>2</sub>膜、多晶硅构成的非单晶硅薄膜的MOS型的非单晶硅薄膜晶体管，具有单晶硅薄膜的MOS型的单晶硅薄膜晶体管，金属配线。由此，形成非单晶硅薄膜和单晶硅薄膜设备，提供集成高性能系统的半导体装置以及其制造方法，以及形成该半导体装置的单晶硅薄膜设备的单晶硅基板。 | ||
| 申请公布号 | CN100573824C | 申请公布日期 | 2009.12.23 |
| 申请号 | CN03159798.X | 申请日期 | 2003.09.25 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 高藤裕;糸贺隆志 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨 梧 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置(20、30、40、50、60)，其特征在于，在绝缘基板(2)上不同的区域分别形成非单晶硅薄膜(5′、63)构成的非单晶硅薄膜设备(1a、1b、1c)，以及单晶硅薄膜(14a、14b)构成的单晶硅薄膜设备(16a、16b)，单晶硅薄膜(14a、14b)与非单晶硅薄膜(5′、63)隔着层间绝缘膜(4、61)分别设置在层间绝缘膜(4、61)的上下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||