氧化物烧结体、溅射靶材、透明导电性薄膜及其制造方法

摘要

本发明在于提供比电阻小、膜内部应力的绝对值小、在可见光区域的透过率高的非晶质透明导电性薄膜，以及用于制造该透明导电性薄膜的氧化物烧结体，以及由此得到的溅射靶材。采用钨以W/In原子数比为0.004～0.023的比例，锌以Zn/In原子数比为0.004～0.100的比例，配制平均粒径为1μm以下的In₂O₃粉末、WO₃粉末、ZnO粉末，混合10～30小时，将得到的粉末造粒成平均粒径为20～150μm，用冷间静液压压力机施加2～5ton/cm²的压力使该造粒粉成形，在以每0.1m³的炉内体积50～250升/分的比例向烧结炉内的大气导入氧气的环境下，于1200～500℃下，将所得到的成形体烧结10～40小时。

主权项

1.一种氧化物烧结体，其特征在于，包含铟、钨以及锌，钨以W/In原子数比为0.004～0.023的比例含有，锌以Zn/In原子数比为0.004～0.100的比例含有，以方铁锰矿型结构的氧化铟结晶相为主相，不含有氧化钨结晶相，且比电阻为1kΩ·cm或其以下。